长江存储：128层3D NAND技术会按计划在今年推出

据证券时报的最新消息，长江存储的CEO杨士宁在接受采访时详细谈到了该公司领先的128层3D NAND技术的研发进展。杨士宁透露，虽然目前全球疫情的影响使得研发进度在短期内受到一定的冲击，但长江存储已经实现全员复工，确保从中长期来看，整体研发计划不会偏离预定轨道。他明确表示：“我们计划中的128层技术，仍会在预定的时间，也就是2020年成功推出。”这一表态充分展示了公司的坚定决心和强大的技术实力。

回想今年早些时候，长江存储市场与销售的资深副总裁龚翔宣布，公司将跨越当前行业的常规步骤，直接从96层跨越到128层闪存的研发和量产工作。这一战略决策彰显了长江存储在存储器领域的雄心壮志和技术优势。

让我们进一步了解一下这家颇具实力的企业。长江存储科技有限责任公司于2016年成立，总部坐落在充满科技活力的武汉。该公司以独特的眼光和前瞻性思考，专注于3D NAND闪存的设计制造一体化，致力于成为IDM集成电路领域的领军者。不仅如此，长江存储还致力于提供全方位的存储器解决方案，以满足全球市场的需求。

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在科技飞速发展的今天，长江存储以其前瞻的视角、稳健的步伐和强大的技术实力，正逐步走向行业的前沿。对于其在128层3D NAND技术方面的研发进展，我们充满期待，并相信其未来在存储器领域的表现将会更加亮眼。